行业点评报告SOOCHOW SECURITIES1.薄片化是HJT特有的降本项，助力&充分受益NP硅片同价薄片化系H山T低湿工艺&板式设备特珠的降本项。HT采用低温工艺和板式镀膜设备，结合链式吸杂等工艺目前硅片厚度显著薄于PERC和TOPCo且有更大的硅片减薄潜力：PERC硅片理论极限厚度为150微米左右，TOPCon实现150微米硅片量产，理论极限厚度在130微米左右，HT量产片厚逐步切换120微米，理论极限厚度为80微米，此次中环推出110微米N型硅片意味着更薄硅片的产业化进程加速，H山T将充分受益且助推硅片薄片化带来的NP硅片同价。以TCL中环2023年3月6日报价为例，N型硅片210/182报价为8.026.14元/片，价格均低于P型150μm硅片的820622元/片，N型硅片售价已低于P型硅片，我们认为硅片薄片化能够节省硅料、降低硅片生产成本，但反映到售价端仍有进一步下降的空间，以210为例，N型110微米硅片相较于P型150微米硅片厚度下降26.7%，售价下降2.2%，价格下降幅度低于硅料节约幅度，未来随着N型硅片生产厂商的增加，规模化形成充分竞争后有望进一步降低N型硅片售价，进一步降低HT的硅成本，提升HⅢT产品竞争力，推动HT产业化图2：以210为例，N型110微米硅片相校于P型150微米厚度下降26.7%，售价下降2.2%，仍有进一步下PERC18017016016016015515015515071501401301301301201201101002021Q42022Q12022Q22022Q32022Q4数据来源：2022年HⅢT&叠层技术峰会(TCL中环)，数据来源：TCL中环，东吴证苏研究所东吴证养研究所注：数据公告时间为2023年3月6日2.HJT硅片端优势明显，硅棒利用率&良率更高H山T除了硅片薄片化优势外，在半棒半片切刺&头尾料利用&边皮利用等技术加持下，HT的硅棒利用率比TOPCon高10%、良率高4%，(1)半棒半片切割能够提高4%良率：原有的电池切片做组件容易导致电池微裂纹，并且效率越高切损越大，迈为根据产品特点，提出了直接半片电池硅片方案，高测股份也推出了半棒半片切割方案，①设备产能损失不到10%；②硅损不到0.7%；③电池东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分