韩媒：三星已大幅提高3纳米芯片良率，正开发第二代3纳米芯片

据《韩国经济日报》报道，一位三星高管透露，三星电子的3纳米制程芯片良率已大幅提高。去年三星向中国无厂半导体公司交付3纳米芯片时，三星3纳米芯片的生产良率被猜测为保持在10%以内。而这位高管说，现在三星的第一代3纳米芯片达到了“完美的”产品良率。他还透露，三星正在开发第二代3纳米芯片，没有拖延。（界面）原文链接