报告派研读：2025~2026年电子行业深度报告

2026-3-6 09:01| 发布者: 刘火云32 0

摘要: 在人工智能（AI）技术迅猛发展的背景下，高性能计算对算力的需求呈现爆发式增长。作为支撑AI训练与推理的核心硬件之一，高带宽存储器HBM（High Bandwidth Memory）正从传统的“配套角色”跃升为决定算力上限的关键环 ...

在人工智能（AI）技术迅猛发展的背景下，高性能计算对算力的需求呈现爆发式增长。

作为支撑AI训练与推理的核心硬件之一，高带宽存储器HBM（High Bandwidth Memory）正从传统的“配套角色”跃升为决定算力上限的关键环节。

根据东方财富证券发布的《算力瓶颈加速突破，HBM确立算力时代核心中枢地位》专题研究报告，HBM已成为高端GPU和AI加速芯片不可或缺的组成部分，并将在2025至2026年迎来新一轮技术迭代与市场扩张周期。

报告指出，随着NVIDIA Blackwell架构系列GPU的推出，包括B100、B200及GB200等产品全面采用HBM3E甚至向HBM4过渡，HBM的单栈带宽已迈向2TB/s，接口位宽提升至2048bit，容量扩展至48GB以上。

以H200为例，其搭载的HBM3E实现了4.8TB/s的超高带宽和141GB的大容量内存，相较前代A100性能提升高达11倍，在Llama2、GPT-3等大模型推理任务中表现尤为突出。

这一趋势表明，HBM不仅是解决“内存墙”问题的技术路径，更是推动AI算力平台持续升级的核心驱动力。

市场需求方面，受全球AI基础设施建设加速影响，HBM市场规模预计将在2025年突破250亿美元，2026年继续维持高景气度。

当前三大原厂SK海力士、三星和美光占据绝对主导地位，其中SK海力士出货占比高达62%，在全球DRAM市场中三者合计份额达94%。

由于HBM生产周期长达两个季度、良率仅50%-60%，叠加先进封装如CoWoS产能紧张，导致高端HBM长期处于供不应求状态。

在此紧平衡格局下，HBM价格中枢保持高位，成为拉动整个存储行业进入上行周期的关键变量。

技术演进层面，HBM4将于2025年完成量产导入，并于2026年进入放量阶段。

相比HBM3E，HBM4将接口位宽翻倍至2048bit，单堆栈带宽目标超过2TB/s，支持最高16层堆叠，容量可达64GB。

SK海力士已率先完成HBM4开发并开始出货，美光和三星也计划于2026年实现量产。

值得注意的是，HBM4单价较HBM3E提升约50%，反映出其在AI算力体系中的稀缺性与议价能力不断增强。

此外，美光更进一步规划HBM4E，拟引入可定制逻辑基础芯片，探索存算一体新范式，或将开启高端存储的新一轮创新浪潮。

产业链国产化进程也在加速推进。

尽管目前HBM核心技术仍由海外厂商掌控，但国内企业在设备、封测和材料等环节已取得实质性突破。

中微公司刻蚀与薄膜设备已延伸至10纳米以下先进制程，支撑HBM相关DRAM制造；华天科技、通富微电、长电科技等封测企业HBM封装良率普遍达98%以上，且长电科技已获得SK海力士HBM3E封测订单。

江波龙则通过mSSD集成封装、CXL 2.0内存拓展模块等系统级创新，强化高带宽存储平台能力。

这些进展标志着中国HBM产业链正在从“跟跑”向“并跑”转变，未来有望在国产化替代趋势下释放显著业绩弹性。

然而，报告亦提示多项风险：一是AI算力投资节奏若因宏观经济波动或商业化进展不及预期而放缓，将直接影响HBM需求；二是HBM4在TSV良率、CoWoS封装及新规格认证方面存在技术爬坡不确定性；三是若头部厂商加速扩产或新进入者突破技术壁垒，可能打破当前供给紧平衡格局；四是国际贸易环境变化或出口管制升级，可能扰动关键设备与材料供应，进而影响国产化进程。

综合来看，HBM正处于技术代际跃迁与产业格局重塑的关键窗口期。

2025至2026年，随着HBM4的规模化落地，其在AI训练与推理阶段的核心底座地位将进一步巩固。

对于投资者而言，建议重点关注具备先进制程能力、高良率优势以及深度绑定头部客户的存储龙头，同时布局国产替代逻辑下的设备、封测与材料环节优质标的，把握HBM驱动的高端存储新一轮成长机遇。

本文由【报告派】研读，输出观点仅作为行业分析！
原文标题：算力瓶颈加速突破，HBM确立算力时代核心中枢地位
发布时间：2026年
报告出品方：东方财富证券
文档页数：30页